芯片线路修改

技术原理

华纳微科技共有20台FIB，我们以一天24小时的运作，提供客户最实时的服务。以IC线路编修服务为例，华纳微保证24小时之内完成客户的需求。我们另有业界最新的双枪FIB系统，可以满足客户做产品故障分析的多元需求：位置的精确与高质量的影像，再搭配我们专业的人员与丰富的经验，提供您、准确、精确、效率、有效的产品故障快速分析服务。

聚焦式离子束显微镜(FIB)的利用镓(Ga)金属作为离子源，再加上负电场 (Extractor) 牵引尖端细小的镓原子，而导出镓离子束再以电透镜聚焦，经过一连串变化孔径 (Automatic Variable Aperture, AVA)可决定离子束的大小，再经过二次聚焦至试片表面，利用物理碰撞来进行特定图案的加工，一般单粒子束的FIB(Single Beam FIB)，可以提供材料切割、沈积金属、蚀刻金属和选择性蚀刻氧化层等功能。若结合场发射式电子显微镜进行实时观测，即所谓的双粒子束FIB(Dual Beam FIB)，除了以高能离子束进行直接蚀刻的功能外，可藉由气体辅助蚀刻系统的帮助，提高蚀刻的选择比与提升蚀刻速率，并可直接进行特定材料的沈积。目前已有的辅助蚀刻气体可应用于提高聚合物、金属与氧化物的蚀刻率，而辅助沈积气体的种类则有铂 (Pt)，钨 (W) 与氧化硅 (TEOS)。

分析应用

聚焦式离子束显微镜(FIB)直到1993年才开始商品上的应用，比较扫描式电子显微镜(SEM)和穿透式电子显微镜(TEM)的发明，在1950年代以前都被使用在研究开发相关的领域。直到在特定缺陷样品位置的定点切割提供SEM和TEM的样品制备，在工业上的应用才被大量的使用。此外它更广泛的应用在半导体集成电路的线路修补，节省大量产品侦错和缩短更改光罩的时间。

我们有多种机台可提供选择，协助我们的客户享受更有效率及有效的服务。闳康科技投资购买许多最新的仪器设备提供最好的服务质量及多样化的服务内容如IC线路修补的金属层切割，拉线和探针垫层(Probing Pad)的制作，无铅制程中锡须的精密切割，锡铅焊点可靠性失效横截面故障分析，和完整的铜制程横截面结构观察，以及提供许多更先进的IC制程技术的分析服务

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1. 定点切割(Precision Cutting)
2. 穿透式电子显微镜试片制作 (TEM sample preparation)
3. IC线路修补和布局验证 (IC circuit editing and verification)
4. 制程上异常观察分析 (Abnormal process analysis)
5. 晶相特性观察分析 (Ion Channeling Contrast for Grain Morphology Observation)
6. GDS自动导航线路定位 (Auto-Navigation to designated failure address)
7. 故障位置定位用被动电压反差分析 (Passive Voltage Contrast Analysis for Fault Isolation)